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如何选用半导体分立器件?
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集成电路制造工艺员《集成电路制造工艺员(三级)》真题及答案
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晶体管是电流控制型半导体器件而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散 电阻而制成的器件
可选用制造显示和照明器件
磷光体
压电晶体
氧化物玻璃半导体
液晶材料
利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件
静电对计算机的影响主要体现在静电对半导体器件的影响上可以说半导体 器件对静电的敏感也就是计算机对静电
半导体分立器件如何分类
半导体分立器件集成电路对外壳的主要要求之一是良好的热性能外壳应有小的使芯片的热量有效地散逸出去保证器
热阻
阻抗
结构参数
什么叫半导体常用的半导体器件有哪些
关于电力电子技术和信息电子技术说法错误的是
半导体器件制造技术理论基础一样
许多分析方法一致
在信息电子技术中,半导体器件可工作于放大区,也可工作于开关状态
在电力电子技术中,半导体器件工作于放大区
某发明专利申请的权利要求1如下权利要求1一种半导体器 件包括部件ABC下列哪些权利要求的撰写存在缺陷
权利要求2:如权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其特征在于d。
权利要求2:制造如权利要求1所述的半导体器件的方法,其特征在于e。
权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述部件f由铜制成。
权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于还包括部件g。
晶体管是电流控制型半导体器件而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件
单极型半导体器件是__________
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的
性能参数
转移特性
内部性能
特性曲线
不论P型半导体还是N型半导体就半导体器件来说都是带电的
场效应晶体管是一种电压控制的半导体器件是单极型半导体器件
半导体器件的核心是什么
在本征半导体中掺入杂质的目的是
提高半导体的导电能力
降低半导体的导电能力
制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件
产生PN结
某发明专利申请的权利要求1如下权利要求1一种半导体器件包括部件abc下列哪些权利要求的撰写存在缺陷
权利要求2:如权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其特征在于d
权利要求2:制造如权利要求1所述的半导体器件的方法,其特征在于e
权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述部件f由铜制成
权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于还包括部件g
整流所用的半导体器件特性是
半导体的分类按照其制造技术可以分为等
集成电路器件
分立器件
光电半导体
逻辑IC
模拟IC
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分析器是一种分选器
单晶硅刻蚀一般采用做掩蔽层以氟化氢为主要的刻蚀剂氧气为侧壁钝化作用的媒介物
损伤的分布与注入离子在在靶内的的分布密切相关
离子散射方向与入射方向的夹角称为
在刻蚀过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气能够提高刻蚀的速率
当注入剂量增加到某个值时损伤量不再增加趋于饱和开始饱和的注入剂量称为
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性超薄的使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小
就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面使其中离子注入层在极短的时间内达到高温消除损伤
在磁分析器中常用分析磁铁
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被覆盖及保护的部分以化学作用或是物理作用的方式加以去除以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的
在生产过程中必须使用来完成浅沟槽隔离STI
溅镀法因为其阶梯覆盖的能力不良很容易造成因填缝不完全所留下的
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染可在靶室前增加一个或采用无油泵
通常情况下我们改变工艺条件使刻蚀进行中的刻蚀速率尽量低
大硅片上生长的的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性
在各种离子源常用的放电方式中EOS是指有
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者
下列哪些因素会影响临界注入量的大小
的气体源中一般包含H+C+B+Cl+O+等离子
为了避免在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物
电离气体与普通气体的不同之处在于后者是由电中性的分子或原子组成的前者则是和中性粒子组成的集合体
离子注入装置的主要部件有分析器加速聚焦系统等
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称
Torr是指的单位
离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作
铜与铝相比较其性质有
静电偏转电极和静电扫描器都是电容器
下列材料中电阻率最低的是
在半导体工艺中如果淀积的薄膜不是连续的存在一些空隙则
引出系统要求能引出分散性较好的强束流还希望具有较的气阻
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