压电晶片的尺寸大，则辐射功率大，可检测距离大，指向性好，检测效率较高；压电晶片的尺寸大，则近场长度大，始波占宽较大，近表面分辨率降低，杂波多，信噪比低，远场分辨率降低；压电晶片尺寸小，则近场长度短，始波占宽小，近表面分辨率高，杂波少，信噪比高，远场分辨率好；压电晶片尺寸小，则辐射功率小，可检测距离小，指向性差，检测效率低；以上都对

探头晶片尺寸大时近场的覆盖范围也大晶片小时近场的覆盖范围也小

超声波探伤为减少近场长度应选用的探头

低频率较小晶片低频率和较小晶片较大晶片

探头晶片尺寸增加近场区长度增加对探伤不利

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比近场区长度与晶片面积成正比

探头晶片尺寸大时，近场的覆盖范围大；晶片小时，近场的覆盖范围小。（）

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探头晶片尺寸大时，近场的覆盖范围大；晶片小时，近场的覆盖范围小。（ ）

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