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在均匀形核时,设晶核的形状为边长是a的立方体,则临界晶核边长为(),临界形核功为()。(已知σ和ΔGV)

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非均匀形核比均匀形核的形核率高;  均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;  非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;  非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。  
临界晶核的体积和表面积越小;  形核需要的过冷度越小;  需要的形核功越小。。  
体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二  非均匀形核比均匀形核难度更大  结构起伏是促成均匀形核的必要因素  能量起伏是促成均匀形核的必要因素  过冷度△T越大,则临界半径越大  

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