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半导体制造技术

推荐等级：

发布时间： 1970-01-01

试卷分类：半导体芯片制造工
卷面总分：100分
答题时间：120分钟
试卷类型：模拟试题
练习次数：37次
试卷题量：61题

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试卷预览

1简答题 3分

分别简述RVD和GILD的原理它们的优缺点及应用方向

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2简答题 3分

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3简答题 3分

杂质原子的扩散方式有哪几种它们各自发生的条件是什么从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散

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写出菲克第一定律和第二定律的表达式并解释其含义

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以P2O5为例多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况

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