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哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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材料物理性能《半导体材料》真题及答案
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单晶硅刻蚀一般采用做掩蔽层以氟化氢为主要的刻蚀剂氧气为侧壁钝化作用的媒介物
氮化硅
二氧化硅
光刻胶
多晶硅
材料一2005年以前多晶硅的市场价格仅仅在30美元公斤左右到2008年其价格接近500美元公斤自20
引导支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅—电厂—化工联营支持节能环保太阳能级多晶硅技术开发降低生产成本
100
200
300
400
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性超薄的使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小
n型掺杂区
P型掺杂区
栅氧化层
场氧化层
铸造技术为何能提高多晶硅纯度制备铸造多晶硅的工艺流程描述直培法工艺影响直培法制备柱形多晶硅的因素
叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称
在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学生产氮化硅膜是历来常用的方法
在生产过程中必须使用来完成浅沟槽隔离STI
单晶硅刻蚀
多晶硅刻蚀
二氧化硅刻蚀
氮化硅刻蚀
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者
二氧化硅氮化硅
多晶硅硅化金属
单晶硅多晶硅
铝铜
铝硅
在MOS及双极型器件中多晶硅可用来做什么
单晶硅与多晶硅的区别
为了避免在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表
多晶硅
单晶硅
铝硅铜合金
铜
太阳能电池产业链由以下五个环节组成其中进入壁垒最高的是
高纯多晶硅原料生产
单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸
硅片切割
电池芯片生产
为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻对多晶硅的掺杂有何要求
阅读材料回答问题材料一2005年以前多晶硅的市场价格仅仅在30美元公斤左右到2008年其价格接近50
简述单晶硅与多晶硅的材料对比
下列关于多晶硅抑制产能过剩和重复建设的政策导向的说法正确的有
严格控制在能源短缺,电价较高的地区新建多晶硅项目
严格限制多晶硅生产企业与下游太阳能电池生产企业加强联合与合作,延伸产业链
新建多晶硅项目规模必须大于3000t/a
太阳能级多晶硅还原尾气中四氯化硅,氯化氢,氢气回收利用率不低于98.5%,99%,99%
引导,支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营
青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目
一
二
三
四
在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP将得到的灯光用然后缓慢地移动位置使多晶硅薄膜再结晶化
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对的高选择性超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能
二氧化硅
氮化硅
单晶硅
多晶硅
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在自然界中可以找到真正的质点
刚体定轴转动时刚体上所有质元都在转动平面上作圆周运动
曲线运动的物体其法向加速度一定不等于零
物体受到几个力的作用不一定产生加速度
质点系总的内力一定为零
刚体的转动惯量J的大小只与刚体的质量分布有关
在某个惯性系中有两个事件同时发生在不同地点而在对该系有相对运动的其他惯性系中这两个事件一定同时
刚体定轴转动时刚体上各个质元对轴的角动量的方向都不相同
物体沿铅直平面内的光滑圆轨道作圆周运动机械能守恒
相对论中运动物体长度缩短与物体线度的热胀冷缩不是一回事
定轴转动刚体的角动量守恒的条件是外力对刚体转轴的力矩之和为零
两个质量相同的物体如果它们的动能相等则它们的动量必相等
质点系内力所做的总功不一定为零
物体只有运动状态变化时才存在惯性
刚体平动过程中可用刚体上任意一点的运动来描述平动刚体的整体运动情况
刚体绕定轴转动时构成刚体的所有质点的动能之和称为刚体的转动动能
刚体的转动惯量J是标量
竖直上抛一球若回到原出发点的速率等于初速则球在运动期间的动量是守恒的
转动惯量的单位在国际单位中为千克⋅米2kg⋅m2
物体从高处落到地面的过程中若不考虑空气阻力则机械能守恒
静摩擦力的方向与受力支点的相对运动趋势的方向相反
在某个惯性系中同时同地发生的事件在所有其他惯性系中不一定是同时同地发生的
物体从高处落到轻质弹簧上以后的运动是机械能守恒的
牛顿定律只有在惯性系中才成
自由刚体具有6个自由度
刚体平动过程中其上各点运动轨迹的形状相同且彼此平行
运动物体在某段时间内的平均速度大小等于该段时间内的平均速率
质点的动量大小跟所选择的惯性参考系有关
只有切向加速度的运动一定是直线运动
两个质量相同的物体如果它们的动能相等则它们的速度必相等
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