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GTO与可控硅的主要区别是()

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弱电板可控硅  电源板可控硅  强电板可控硅  网络板可控硅  
外电路的负载  可控硅的通态平均电流  可控硅A~K之间的电压  触发电压  
电流逐步达到饱和值  去掉控制极电压,可控硅将截止  可控硅导通后,控制极将失去作用  将阳极电流减小到一定值时,可使可控硅截止  当阳极和阴极间加一反向电压,可使可控硅截止  
外电路的负载  可控硅的通态平均电流  可控硅A一K之间的电压  触发电压  
阻容吸收元件损坏  阻容吸收原件损坏,可控硅质量不良或安装不好  可控硅质量不良或安装不好  可控硅质量虽不良但安装正常  
可控硅加小向阳极电压,控制极加反向电压  可控大地加厂向阳极电压,控制极不加反向电压  可控硅加反向阳极电压,控制极加正向电压  可控硅加反向阳极电压,控制极加反向电压  

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