标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小-X题卡

发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

深度饱和将截止集电极正偏发射结反偏

发射区放大区集电区基区扩张区

发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度基区非常薄集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大以上三项

当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；以上说法都错。

增大基区掺杂浓度减小基区宽度减小发射结面积增大集电区杂质浓度

电量电流电压功率

集电区掺杂浓度较大发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度基区非常薄集电结的面积比发射结的面积大集电区掺杂浓度较小

基区集电区发射区饱和区

内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度外部条件，发射结正偏，集电结反偏外部条件，发射结反偏。集电结反偏

发射区与基区交界处的PN结为发射结基区与集电区交界处的PN结为发射结发射区与基区交界处的PN结为集电结发射区与集电区交界处的PN结为集电结

发射区发射电子，集电区收集电子发射区发射空穴，集电区收集电子发射区发射电子，集电区收集空穴发射区发射空穴，集电区收集空穴

标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。