以下关于NPN晶体管导通条件的说法正确的是（）。

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关于晶体三极管的漏电流以下说法正确的是

相同功率的锗管漏电流大于硅管 NPN管漏电流小于PNP管电压升高一倍漏电流增大一倍 NPN管漏电流大于PNP管

光敏晶体管只有NPN型一种

晶体管符号上的箭头朝外则表示为

NPN型晶体管； PNP型晶体管；硅管；锗管。

晶体管调压器中晶体管的导通比指的是.

晶体管的相对导通时间晶体管的导通时间晶体管的截止时间晶体管的相对截止时间

在NPN型晶体三极管放大电路中基极与发射极短路则晶体管__________

测得晶体管三管脚的对地电压分别是2V6V2.7V该晶体管的管型和三个管脚依次为

PNP管，CBE NPN管，ECB NPN管，CBE PNP管，EBC

关于晶体管反向漏电流以下说法正确是

相同功率的锗管反向漏电流大于硅管 NPN管反向漏电流小于PNP管电压越高越大 NPN管反向漏电流大于PNP管

用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2VV2＝6VV3＝2.7V由此可判断该晶

PNP 管， CBE NPN 管， ECB NPN 管， CBE PNP 管， EBC

在某放大电路中测得晶体管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V由此可判断该晶体管为

NPN硅管 NPN锗管 PNP硅管 PNP锗管

固体半导体摄像元件CCD是一种

PN结光电二极管电路 PNP型晶体管集成电路 MOS型晶体管开关集成电路 NPN型晶体管集成电路

单结晶体管导通条件是

发射极电压大于峰点电压；发射极电压小于峰点电压；发射极电压小于谷点电压；发射极电压大于谷点电压。

晶体管符号中箭头朝内者表示它是

硅管；锗管； NPN 管； PNP管。

晶体管是由半导体形成的有和两种

PNP、PNP NPN、NPN PNP、NPN PNN、NPP

如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型

晶体管符号中箭头朝外者表示它是

硅管; 锗管; NPN管; PNP管。

晶体管导通的条件是_______关断的条件是_______.

单结晶体管导通条件表述不正确的是

发射极电压大于峰点电压发射极电压小于峰点电压发射极电压小于谷点电压发射极电压大于谷点电压

PWM型晶体管调压器的调压方法是

改变晶体管开关的频率改变晶体管导通的时间改变晶体管的电阻大小改变晶体管的放大倍数

简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤

测得某个NPN型晶体管EBC三个电极电位分别为0.4V0.2V和1.5V可判断该管处于 ______

完全截止完全导通线性放大饱和导通

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