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硅二极管的导通电压是0.7V（）

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晶体二极管的导通电压为0.7V

硅二极管的死区电压为V导通电压为V

二极管处于导通状态时二极管的压降

为零硅管0.7V，锗管0.3V 等于电路电压电压不变

硅二极管导通时的正向管压降约锗二极管导通时的管压降约0.3V

当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时则

二极管电流增大二极管过流损坏二极管击穿二极管电流基本不变

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时硅二极管

立即导通到0.3V时才开始导通超过死区电压时才开始导通不导通

普通硅二极管导通电压大概是0.5～0.7V当此二极管加上0.4V正向电压时该二极管相当于

很小的电阻很大的电阻断路短路

硅二极管正向导通电压应为

0.3v 0.7v 0v 很大

锗二极管和硅二极管的正向导通电压完全一样

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时硅二极管A立即导通B到0.3V时才开始导通C超过死区

立即导通到0.3V时才开始导通超过死区电压时才开始导通不导通

硅二极管它在反向电压下的漏电流比锗管小得多但导通电压较高约V

0.3 0.7 1

硅二极管和导通电压约为.

0.3V 0.7V 7V 10V

硅二极管正向导通电压为0.6～0.8V

锗二极管的死区电压为V导通电压为V

硅二极管的正向导通电压一般是V

1V 0.7V 2V 7V

导通后二极管两端电压变小硅管约为

0.5V 0.7V 0.3V 0.1V

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时硅二极管

立即导通到 0. 3V 才开始导通超过死区电压时才开始导通不会导通

晶体二极管的伏安特性可简单理解为硅晶体三极管发射结的导通电压约为锗晶体三极管发射结的导通电压约为

硅二极管的开启电压为0.5V左右锗二极管为0.1V左右

硅二极管导通电压降一般在伏左右

0.1 0.35 0.7

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