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低于体瓷烧结愠度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
甲试管先产生气泡,且气泡少 乙试管先产生气泡,但气泡少 甲试管先产生气泡,且气泡多 乙试管先产生气泡,且气泡多
左试管不产生气泡,右试管产生气泡 左试管产生气泡,右试管不产生气泡 左试管和右试管都产生气泡,气泡成分不同 左试管和右试管都产生气泡,气泡成分相同
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
过度烤制 除气不彻底 调和瓷粉的液体被污染 降温过快 快速预热
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
甲试管比乙试管产生的气泡多 甲试管比乙试管产生的气泡少 甲试管不产生气泡,乙试管产生气泡 甲试管产生气泡,乙试管不产生气泡
便于操作 放置磨料成分污染表面 利于形成氧化膜 防止瓷层变色 形成较为规则的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
甲试管产生气泡的速率比乙试管快 甲试管产生气泡的速率比乙试管慢 甲试管不产生气泡,乙试管产生气泡 甲试管产生气泡,乙试管不产生气泡
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
甲不产生气泡,乙产生气泡 甲产生气泡,乙不产生气泡 甲和乙都产生气泡,气泡成分不同 甲和乙都产生气泡,气泡成分相同
快速预热 降温过快 过度烤制 调和瓷粉的液体被污染 除气不彻底