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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

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场效应管是利用栅源之间的电压变化来控制双相型三极管则利用基极电流来控制

结型场效应管的类型有

N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管

场效应管按其结构不同常见的两种类型和绝缘栅场效应管

对于绝缘栅场效应管无论增强型还是耗尽型只要是N沟道器件UDS应为负值衬底接最低电位UGS越向正值方向

绝缘栅场效应管的栅极与源极和之间是完全绝缘的

漏极正极负极源极

结型场效应管工作在线性区时有放大作用它是用栅-源间的电压控制漏级电流的由它构成的放大电路并有一定的电

输入电阻很大输入电阻很小输出电阻很大输出电阻很小

绝缘栅场效应管也有两种结构形式它们是N沟道型和P沟道型无论是什么沟道它们又分为增强型和耗尽型两种

TDQ—3型调谐器中双栅场效应管接成级联放大器

共射—共射共射—共基共射—共集共源—共栅

场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管它的全称是

绝缘栅场效应管结型场效应管双极型功率晶体管绝缘栅双极晶体管

外加反向电压PN结中的耗尽层宽度将变宽

绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为

P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

场效应管本质上是一个

电流控制电流源器件电流控制电压源器件电压控制电流源器件电压控制电压源器件

场效应管的类型有

结型场效应管绝缘栅型场效应管 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管

根据结构的不同场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管

N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高

PN结越宽沟道越窄沟道电阻变大电流ID就越小沟道越宽

在场效应管中沟通被夹断时的漏源电压叫夹断电压

结型场效应管用作放大时输入端GS间应保持

反向偏置正向偏置正向、反向偏置均可

下面关于共源极场效应管放大电路的说法正确的是

输入阻抗大，输出阻抗小电压放大倍数接近于1 输入输出电压反向功率放大能力强

当PN结加正向电压时扩散电流漂移电流耗尽层当PN结加反向电压时扩散电流漂移电流耗尽层

大于变窄等于小于变宽不变

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