在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )

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EPROM ； EEPROM ；精态 PAM；动态 RAM 。

RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆 RAM属于挥发性存储器，而静态的RAM存储信息是非挥发性的 ROM不用刷新，且集成度比动态RAM高，断电后存储的信息将消失静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器，断电后存储的信息将消失

ROM是只读存储器，而RAM是可以随机访问的存储器，可以读也可以写 RAM是只读存储器，而ROM是可以随机访问的存储器，可以读也可以写 ROM和RAM都是只读存储器 ROM和RAM都是可以随机访问的存储器，可以读也可以写

RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类 SRAM的集成度比DRAM高 DRAM的存取速度比SRAM快 DRAM中存储的数据无须“刷新”

静态RAM(SRAM) 动态RAM(DRAM) RAM Cache

EPROM； EEPROM；静态RAM；动态RAM。

随机存储器只读存储器可编程只读存储器动态随机存储器

ROM是内存储器,RAM是外存储器 RAM是内存储器,ROM是外存储器断电后,ROM的信息会保存,而RAM则不会断电后,RAM的信息可以长时间保存,而ROM中的信息将丢失

CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的，存储器容量越大，访问存储器所需的时间越长大多数个人计算机中可配置的内存容量仅受地址总线位数限制因为动态存储器是破坏性读出，所以必须不断地刷新一般情况下，ROM和RAM在存储体中是统一编址的

可编程只读存储器随机存取存储器只读存储器动态随机存储器

信息在存储介质中移动每隔一定时间进行一次刷新按字结构方式存储按位结构方式存储

读写存储器动态存储器随机存储器固定存储器

在掉电后，ROM中存储的信息不会丢失，RAM信息会丢失掉电后，ROM信息会丢失，RAM则不会 ROM是内存储器，RAM是外存储器 RAM是内存储器，ROM是外存储器

信息在存储介质中移动按字结构方式存储可读/写存储器每隔一定时间要进行一次刷新

只读存储器随机存取存储器动态随机存储器可编程只读存储器