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材料科学基础《材料科学基础》真题及答案
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灰锡为立方面心金刚石型结构晶胞参数a=648.8pm1.写出晶胞中八个Sn原子的原子分数坐标2.计算
Cu2O为半导体材料在其立方晶胞内部有4个氧原子其余氧原子位于面心和顶点则该晶胞中有______个铜
有A.B.C.D.E.F.六种原子序数依次增大的元素原子序数均小于36A.的基态原子2p能级有3个单
砷化稼GaAs是优良的半导体材料可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等回答下列问题1基态Ga原子的
已知GaAs的密度为5.307g/cm3Ga和As的原子量分别为69.72和74.92其晶体结构为立
[化学——选修3物质结构与性质] 锗Ge是典型的半导体元素在电子材料等领域应用广泛回答下列问题 1
2018年·重庆綦江区模拟5月氮化硼BN是一种性能优异潜力巨大的新型材料主要结构有立方氮化硼如图1和
在各种层状硅酸盐结构中晶胞参数相近的是____
a
0
和b
0
a
0
和c
0
c
0
和b
0
c
0
砷的一些化合物常用作半导体除草剂杀鼠药等回答下列问题1基态As原子的核外电子排布式为[Ar]____
[化学——选修3物质结构与性质]15分 锗Ge是典型的半导体元素在电子材料等领域应用广泛回答下列问
早期发现的一种天然二十面体准晶颗粒由AICuFe三种金属元素组成回答下列问题 Al单质为面心
金属钠晶体为体心立方结构钠原子在晶胞的体对角线上互相接触晶胞参数a=429pm即每个体心立方晶胞的边
PrO2的晶体结构与CaF2相似晶胞中Pr原子位于面心和顶点则PrO2的晶胞中有________个氧
用0.2molYF3加入CaF2中形成固溶体实验测得固溶体的晶胞参数a=0.55nm测得固溶体密度ρ
锗Ge是典型的半导体元素在电子材料等领域应用广泛回答下列问题1基态原子的核外电子排布式为[Ar]__
早期发现的一种天然二十面体准晶颗粒由AlCuFe三种金属元素组成回答下列问题1准晶是一种无平移周期序
具有面心立方结构的AB型化合物晶体该AB化合物的分子量为26测得其密度为2.6g/cm3据此计算AB
回答下列问题1准晶是一种无平移周期序但有严格准周期位置序的独特晶体可通过________方法区别晶体
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1第一电离能介于B.N.之间的第二周期元素有________种2CH4中共用电子对偏向C.SiH4中
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界面对材料的性质有着重要的影响界面具有的特性
硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而随温度下降而
将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去则外加组分在表面层的浓度体积内部的浓度
不属于点缺陷
稳定扩散稳态扩散是指在垂直扩散方向的任一平面上单位时间内通过该平面单位面积的粒子数
晶体的缺陷有哪些以及各种缺陷对晶体性能的影响
临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚临界晶核的半径越大晶核的形成
对普通硅酸盐熔体随温度升高表面张力将
菲克Fick第一定律指出扩散通量与浓度梯度成正比扩散方向与浓度梯度方向
多晶转变中存在阶段转变定律系统由介稳状态转变为稳定态不是直接完成的而是依次经过中间的介稳状态最后变为该温度下的稳定状态最终存在的晶相由决定
不同类型的固溶体具有不同的结构其扩散难易程度不同间隙型固溶体比置换型
空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子而原子反向迁入空位这种扩散机制适用于的扩散
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响主要是通过使得扩散系数增大
晶体的表面扩散系数Ds界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在的关系
成核-长大型相变是材料中常见的一种相变如结晶釉的形成成核-长大型相变是由的浓度起伏开始发生相变并形成新相核心
一般晶体中的扩散为
晶体由一相转化为另一相时如该相变为一级相变则在相变温度时该过程
淬冷法是相平衡的研究的动态方法其特点是
按热力学方法分类相变可以分为一级相变和二级相变一级相变是在相变时两相化学势相等其一阶偏微熵不相等因此一级相变
为了提高液相对固相的润湿性在固-气和液-气界面张力不变时必须使液-固界面张力
下列关于晶界的说法哪种是错误的
不可逆多晶转变的多晶转变温度种晶型的熔点
方法不能获得过饱和点缺陷
二元凝聚系统平衡共存的相数最多为3而最大的自由度数为
根据杠杠规则在二元凝聚系统的相图中如果一个总质量为M的相分解为质量G1和G2的两个相则生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的组成点之间线段
晶体非晶体准晶体的异同
在离子型材料中影响扩散的缺陷来自两个方面热缺陷与不等价置换产生的点缺陷后者引起的扩散为
扩散之所以能进行在本质上是由于体系内存在
在成核-生长机制的液-固相变过程中其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较有如下关系
吸附膜使固体表面张力
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