抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）

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兴奋性突触后电位和局部电位抑制性突触后电位和局部电位兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

K+ Na+ Cl- Ca2+ H+

是"全或无"式的有总和现象幅度较兴奋性突触后电位大是突触后膜对Cl的通透性减少的结果是突触后膜对Cl的通透性增加的结果

突触前膜均去极化突触后膜均去极化突触前膜释放的递质性质一样突触后膜对离子通透性一样产生的突触后电位的最终效应一样

突触前膜均去极化突触后膜均去极化突触前膜释放的递质性质一样突触后膜对离子通透性一样产生的突触后电位的最终效应一样

Na+ Cl- K+ Ca2+

突触后膜去极化都可向远端传导都与突触后膜对 Na+通透性增加有关出现“全或无”式电位变化递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果

Na+ Cl- K+ Ca2+ Mn2+

兴奋性突触后电位和局部电位抑制性突触后电位和局部电位兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位