某DRAM芯片，其存储容量为512Kx8位，该芯片的地址线和数据线数目为 ( )

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对存储器按字节进行编址若某存储器芯片共有10根地址线的引脚则该存储器芯片的存储容量为

512 B 1 KB 2 KB 4 KB

某SRAM芯片容量为512*4问该芯片有几根地址线几根数据线若有12根地址线8位数据线则存储容量为多

某趾M芯片其存储容量为16K×8位则该芯片引出线的最小数目应为3存储器芯片的地址范围是4 3

8 4 16 26

μPD424256的容量为256K×4bit即芯片内部有256K个存储单元每个存储单元可存储4位信息

芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的 DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

对存储器按字节进行编址若某存储器芯片共有8根地址线则该存储器芯片的存储容量为【2】字节

对存储器按字节进行编址若某存储器芯片共有8根地址线则该存储器芯片的存储容量为______字节

已知某半导体存储芯片的地址线为12根则此存储器的存储容量为

512KB 1024KB 2048KB 4096KB

对存储器按字节进行编址若某存储器芯片共有10根地址线则该存储器芯片的存储容量为

1KB 2KB 4KB 8KB

对存储器按字节编址若某存储器芯片共有10根地址线的引脚则该存储器芯片的存储容量为______

512B 1KB 2KB 4KB

某一DRAM芯片其容量为512×8位除电源端和接地端外该芯片引出线的最小数为

25 23 20 19

某存储器芯片的存储容量为8K×8位则它的地址线和数据线引脚相加的和为

21 20 18 16

某DRAM芯片，其存储容量为512Kx8位，该芯片的地址线和数据线数目为 ( )

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