首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
同质外延
查看本题答案
包含此试题的试卷
集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
什么是外延层为什么在硅片上使用外延层
高考移民的外延大于异地高考的外延
如果A概念的部分外延与B概念的全部外延重合则A与B的外延间可能是.
A真包含B
A真包含于B
B真包含A
B真包含于A
A与B交叉
解释语文学习的外延和生活的外延相等
概念的内涵和外延之间的关系是________
概念的内涵越深,其外延越广
概念的内涵越浅,其外延越广
概念所包含的属性越多,其外延越广
概念所包含的属性越少,其外延越广
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层分为同质外延和异质外延两大类
异地高考的外延要比高考移民的外延小
外延生长方法比较多其中主要的有外延外延金属有机化学气相外延分子束外延固相外延等
通过减少概念的内涵以扩大概念的外延来明确概念外延的逻辑方法叫.
在真包含关系中外延大的那个概念叫做概念外延小的那个概念叫做概念
什么是固相外延SPE及固相外延中存在的问题
高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延
什么是外延层为什么硅片上要使用外延层
概念的内涵和延之间的关系是
概念的内涵越深其外延越广
概念的内涵越浅其外延越广
概念所包含的属性越多其外延越广
概念所包含的属性越少其外延越广
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层即外延层
延生长方法比较多其中主要的有外延外延金属有机化学气相外延外延原子束外延固相外延等
概念的内涵和外延之间的关系包括
概念的内涵越深其外延越广
概念的内涵越浅其外延越广
概念所包含的属性越多外延越广
概念所包含的属性越少外延越广
在文件公文文书这三个概念中就其外延而言
文件的外延最大,公文次之,文书最小
公文的外延最大,文件次之,文书最小
文书的外延最大,公文次之,文件最小
公文的外延最大,文书次之,文件最小
在文件公文文书这三个概念中就外延而言
文件的外延最大,公文次之,文书最小
公文的外延最大,文件次之,文书最小
文书的外延最大,公文次之,文件最小
公文的外延最大,文书次之,文件最小
划分后各子项外延之和大于母项外延就会犯的逻辑错误划分后各子项外延之和小于母项外延就会犯的逻辑错误
热门试题
更多
在晶片制造中有两种方法可以向硅片中引入杂质元素即热扩散和离子注入
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除掺入的杂质也能得到一定比例的电激活
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上
投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽
在半导体生产中湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法
物理气相沉积
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶
硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大其原因是什么
各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上横向和垂直方向以相同的刻蚀速率进行刻蚀
与干法刻蚀相比湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比对器件不会带来等离子体损伤并且设备简单
对正性光刻来说剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图__复制
蒸发镀膜
不正确的刻蚀将导致硅片报废给硅片制造公司带来损失
集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明并共享集成电路的专利
P是VA族元素其掺杂形成的半导体是P型半导体
硅片制造厂可分为六个独立的区域各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化
扩散率越大杂质在硅片中的移动速度就越大
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作简而言之这些操作可以分为四大基本类薄膜制作刻印刻蚀和掺杂
光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是光刻胶只对特定波长的光线敏感例如深紫外线和白光而对黄光不敏感
间隙式扩散
硅中的杂质只有一部分被真正激活并提供用于导电的电子或空穴大约3%~5%大多数杂质仍然处在间隙位置没有被电学激活
常用的半导体材料为何选择硅
在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤预淀积推进和激活
刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度
离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度因而在几乎所有应用中都优于扩散
CD越小源漏结的掺杂区越深
CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器
热门题库
更多
光电检测技术
微电子学
半导体测试技术
集成电路技术
信息处理技术
雷达工程
可编程控制器
SDH光传输设备开局与维护
工程地质
建筑施工
建筑设备工程
地基处理
道路勘测设计
供热工程
土质学与土力学
结构力学