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反转录转座子是( )。
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国家统考科目《简单单选》真题及答案
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关于转座下列叙述正确的是
转座子必须被复制后才能进行转座
逆转座子与逆转录病毒属一个概念
转座的结果是在插入位点两端产生正向重复序列
复合型转座子两端不具有反向重复序列
反转录病毒与反转录转座子有什么不同
简述逆转录转座子与逆转录病毒的异同点
列出病毒和非病毒超家族反转录转座子之间的4种差异
反转录转座子retrotransposon
逆转录病毒与逆转录转座子有什么不同
什么叫做反转录转座子试举例说明
逆转录转座子
Alu因子
是病毒反转录转座子超家族的成员
每个哺乳动物基因组中有20000-50000个拷贝
大约长300bp
包括一个与反转录酶基因有同源的可读框
被转录
有LTR
逆转录转座子通过RNA为中介逆转录成DNA进行转座
转位因子主要包括
插入序列、转座子、转座噬菌体或后噬菌体
插入序列、转座子、前噬菌体或后噬菌体
重复序列、转座子、转座噬菌体或前噬菌体
插入序列、转座子、转座噬菌体或前噬菌体
重复序列、转座子、转座噬菌体或后噬菌体
反转座子
逆转录转座子retrotransposonorretroposon
L1元件
是病毒反转录转座子超家族的成员
每个哺乳动物基因组中有20000-50000个拷贝
大约长300bp
包括一个可读框,产物与反转录酶有同源性
被转录
有LTR
什么是逆转录转座子逆转录子对基因组功能有哪些重要的影响
什么是转座子转座子标签法转移基因的原理是什么
逆转录转座子指通过为______中介逆转录成______后进行转座的可动元件
反转录病毒整合酶可特异地识别.整合反转录病毒的cDNA的____转座酶可特异 识别转座子的____发
Viral-likeretrotransposon类病毒逆转录转座子
反转录转座子的插入在何种情况下会引起基因突变
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平面电磁波从介电常数为£的透明介质以入射角θ入射线与介质分界面法线的锐交角入射到真空ε2=ε0中ε1>ε0其θ分量垂直于入射面请写出电场强度和磁场强度的边界条件方程假设发生了全反射请写出全反射条件
在体心立方结构中伯氏矢量为a[00]的位错分解为
请求分页管理系统中假设某进程的页表内容如下表所示页号页框PageFrame号有效位存在位0101H11—02254H1页面大小为4KB一次内存的访问时间是100ns一次快表TLB的访问时间是10ns处理一次缺页的平均时间为108ns已含更新TLB和页表的时间进程的驻留集大小固定为2采用最近最少使用置换算法LRU和局部淘汰策略假设1TLB初始为空2地址转换时先访问TLB若TLB未命中再访问页表忽略访问页表之后的TLB更新时间3有效位为0表示页面不在内存产生缺页中断缺页中断处理后返回到产生缺页中断的指令处重新执行设有虚地址访问序列2362H1565H25A5H请问依次访问上述三个虚地址各需多少时间给出计算过程
在的极限情况下透入金属的电磁波的磁场矢量比电场矢量的位相要 A.落后 B.落后 C.超前 D.相同
文件系统中文件访问控制信息存储的合理位置是
下列进程调度算法中综合考虑进程等待时间和执行时间的是
有一内外半径分别为ab的导体球壳在其中心处有一点电荷q在静电平衡状态下在外表面有电荷密度为σ的均匀电荷分布则在r>b处的电场为
麦克斯韦电磁理论适用的范围为
下列选项中能引起外部中断的事件是
分区分配内存管理方式的主要保护措施是
一带电总量为Q的均匀带电球体其半径为R0距离接地的无限大导体面为a求球内外空间任一点的电势φ
立方晶体中的[001]方向是
氯化铯CsCl为有序体心立方结构它属于
如图所示内半径为a外半径为b的空心带电介质球壳介电常数为ε球壳上带有均匀电荷体密度为ρ则在空心内部A点距球心距离为r1和球壳内B点距球心距离为r2的电场强度大小分别为
下列文件物理结构中适合随机访问且易于文件扩展的是
如图所示是一无限长中空圆柱形导体壳的横截面外半径为b内半径为c中间是一横截面半径为a的圆柱形导体三个圆柱面同轴此圆柱导体和壳之间为真空若在导体壳和中心圆柱体上都有沿相同轴向的均匀电流流动电流密度都为导体的磁导率都为μ则图中A点距轴线距离为r1和B点距轴线距离为r2的磁感应强度大小分别为
在半径为a的圆形线圈上通有电流试求 简述辐射功率
如图所示有一小型空心带电圆盘内半径为R1外半径为R2盘的厚度可以忽略不计盘上带有均匀的电荷面电荷密度为σ如果这个圆盘以角速度ω=Csinαt绕过其中心的垂直轴线转动α为一常数 如果在A点上平行于圆盘放一半径非常小的线圈半径为b线圈内任一点的磁感应强度可以认为等于A点的磁场在某一时刻t将伏特计接到线圈上问伏特计的瞬时读数是多少
一个半径为a的电介质球介电常数为ε极化强度为其中为方位角该球放置于的环境中则电介质球内的束缚电荷体密度ρp球面上束缚电荷面密度σp在球坐标系rθ中分别为
在带自由面电流的磁介质界面上两边介质常数不同这时候边值关系为
电荷为-e质量为m的经典电子在静电力的吸引作用下初始以半径a0绕质子作圆周旋转运动如果没有量子效应此系统将有电磁波辐射消耗掉系统的能量在辐射过程中可把电子的运动过程看着是半径在逐渐缓慢变小的近似圆周旋转运动 写出辐射场保留矢量积形式不作运算和能流密度
写出磁偶极辐射的场分布公式
在两个夹角为45°的接地导体平板之问有一点电荷q用电象法求解此区间的电场时其象电荷的数目为
任一合金的有序结构形成温度无序结构形成温度
电荷Q放置在立体直角坐标0a位置上xz平面和xy平面都是无限大导电平板另有一半径为以的导电圆球球心在原点上求电四极矩处电势及电场的近似分布这里是观测点到原点的距离
程序员利用系统调用打开I/O设备时通常使用的设备标识是
静止长度为l1的列车1和静止长度为l2的列车2都呈水平匀速直线运动状态l1>l2两列车平行运动且其后端在初始时刻重合对齐现列车1以速度u相对于静止观测者前进列车2又以速度v相对于列车1同向前进求在静止观测者看来多长时间列车2的前端追上列车1的前端
在半径为a的圆形线圈上通有电流试求 它在r处r>>λ的辐射场的电场强度和磁感应强度
有一半径为R0带电量为Q的导体球其中心位于两个均匀无限电介质的分界面上介电常数分别为ε1和ε2见图求球外电场强度以及球面上的电荷分布
有一无穷长直导线载有电流I另有一段直导线AB与电流I共面并与I垂直AB两端到I的距离分别为a和bb>a这段导线以匀速v平行于电流I运动 试求导线AB两端的电势差
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