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ZnO压敏电阻的失效模式有。( )

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灯变亮,说明电路中的电流增大   灯变亮,说明电路中的电阻减小   该压敏电阻的阻值随压力增大而增大   该压敏电阻的阻值随压力增大而减小   
压敏电阻自身寄生电容较小  压敏电阻动作响应速度快  压敏电阻通流容易比较大  压敏电阻特性非线性程度高  
机械保护  热学处理  化学处理  合理设计  
非线性电阻  线性电阻  非线性电感  线性电感  
压敏电阻通过1K电流时其两端的电压  压敏电阻在冲击通流容量时的端电压  压敏电阻通过标称放电电流时其两端的电压  压敏电阻通过1M直流电流时其两端的电压  
小电流区  中电流区  截止区  大电流区  
压敏电阻通过1MA直流电流时其两端的电压  压敏电阻通过1KA电流时其两端的电压  压敏电阻通过标称放电电流时其两端的电压  压敏电阻在冲击通流容量时的端电压  
小电流区  中电流区  截止区  大电流区  
残压随波头时间减少而升高  残压随半值时间减少而升高  残压随波头时间增加而升高  残压随半值时间增加而升高  
当压敏电阻两端的电压小于标称导通电压时, 呈现近似低阻状态  当压敏电阻两端的电压小于标称导通电压时, 呈现近似开路状态  过电压消失后, 压敏电阻立即恢复到原来的高阻状态  压敏电阻的伏安特性正负对称  所加电压大于标称导通电压时, 压敏电阻击穿导通, 呈低阻状态  
波头持续时间越短,残压越高  半值时间越短,残压越高  波头持续时间越短,残压越高  半值时间越短,残压越高  
劣化是一种晶界现象  劣化是耗尽层中离子迁移的结果  劣化是稳定层中离子迁移的结果  迁移离子主要是氧和填隙Zn  

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