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是局部去极化电位 具有“全或无”性质 后膜对Cl-通透性上升 由突触前膜递质释放量减少所致 由突触后膜对钠通透性增加所致
是局部除极化电位 具有“全或无”性质 是局部超极化电位 由突触前膜递质释放量减少所致 由突触后膜对钠通透性增加所致
是局部去极化电位 具有“全或无”性质 是局部超极化电位 由突触前膜递质释放量减少所致 由突触后膜对钠通透性增加所致
突触前轴突末梢超极化 突触后膜对Ca2+ 通透性增大 突触后膜出现超极化 突触后膜去极化 由突触前膜递质释放量减少所致
是由突触前神经元释放抑制性递质而产生的 性质上属于动作电位，但幅度较小 重复刺激可引起时间的总和 由突触后膜钾离子通道开放而产生
突触前膜超极化 突触后膜超极化 突触前膜去极化 突触前膜释放抑制性递质 潜伏期较短
突触前膜超极化 突触后膜超极化 突触前膜去极化 突触后膜去极化 没有神经递质参与
突触前轴突末梢超极化 对Ca
、K
通透性增大 突触后膜出现超极化 突触后膜去极化 突触前膜去极化
突触前膜超极化 Ca2+ 经突触前膜进入突触小体 突触前膜释放抑制性递质 突触后膜对 Cl-通透性增强 Cl- 内流产生IPSP
突触前膜超极化 突触后膜超极化 突触前膜去极化 突触前膜释放抑制性递质
可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的 突触后膜产生IPSP 突触后膜产生EPSP 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质 突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触 潜伏期短，持续时间短 可调节控制感觉信息的传入活动
突触前膜去极化 持续时间长 潜伏期较长 通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 轴突末梢释放抑制性递质
一个兴奋性神经元不能引起突触后神经元抑制； 突触后膜产生去极化变化； 突触后膜产生部分去极化变化； 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的； 可分为回返性抑制和传入侧枝性抑制
突触前神经末梢释放兴奋性递质 突触前神经末梢释放抑制性递质 突触后膜对 K+、Cl-的通透性增加 是一个超极化电位 它达到足够大时 , 可以爆发动作电位
是局部去极化电位 具有“全或无”性质 是局部超极化电位 由突触前膜递质释放量减少所致 由突触后膜对钠通透性增加所致(21/2006)
突触前轴突末梢超极化 对Ca2+、K+通透性增大 突触后膜出现超极化 突触后膜去极化
突触前膜超极化 突触后膜超极化 突触前膜去极化 突触前膜释放抑制性递质 潜伏期较短
可分为传人侧支性抑制和回返性抑制两种 是由抑制性中间神经元释放抑制性递质引起的 突触后膜产生lPSP 突触后膜产生EPSP 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质 突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触 潜伏期短，持续时间短 可调节控制感觉信息的传入活动
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