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何谓掺杂？

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何谓本征半导体何谓掺杂半导体二者的载流子及费米能级有何不同

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是

通常在半导体中掺入微量元素制成掺杂半导体.掺杂半导体分为N型和 _____型两类.

半导体掺杂

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度另一方面取决于迁

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度

掺杂的目的是什么掺杂在何时进行惨杂方法有哪几种

三极管具有的特点

发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度基区非常薄集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大以上三项

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂加速到的需要的直接注入到半导体晶片中并经适当温度的

目前使用的光检测器件的结构基础是具有PN结

高掺杂低掺杂不掺杂

三极管内部结构具有的特点

集电区掺杂浓度较大发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度基区非常薄集电结的面积比发射结的面积大集电区掺杂浓度较小

晶体三极管放大作用需满足的条件有

内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度外部条件，发射结正偏，集电结反偏外部条件，发射结反偏。集电结反偏

自掺杂效应

N型半导体中的自由电子是形成的

掺杂能量击发掺杂与能量击发

轻掺杂漏LDD

晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术一次掺杂成功

食品的掺杂掺假

为了保证晶体管的电流放大一方面要满足内部条件即基区厚度小另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置集电结

掺杂少鼠掺杂多纯净不掺杂

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