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硅二极管导道的饱和压降为()

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为零  硅管0.7V,锗管0.3V  等于电路电压  电压不变  
立即导通  到0.3V时才开始导通  超过死区电压时才开始导通  不导通  
硅材料P型阻尼二极管  硅材料N型阻尼二极管  锗材料P型阻尼二极管  锗材料N型阻尼二极管  
R×100/防止过压反响击穿二极管  R×100/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏  R×1/防止过压反响击穿二极管  R×1/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏  
反向电流  反向电压  正向电流  反向电流  
截止状态  导通状态  关闭状态  饱和状态  
锗二极管  硅二极管  可控硅三极管  可控硅二极管  
0.7V  0.3V  1V  0.1V  
导通区  截止区  击穿区  饱和区  
0.7V;0.3V  0.2V;0.3V  0.3V;0.7V  0.7V;0.6V  

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