金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）

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非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0．2~2μm

增强金-瓷的结合强度增强基底冠的强度增加基底冠的厚度利于遮色瓷的涂塑增强瓷冠的光泽度

喷砂基底冠预氧化超声清洗电解蚀刻除气

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

0．5～1．0min 1～3min 5～10min 20～30min 30min以上

1~3min 5~10min 0．5~1．0min 20~30min 30min以上

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

1min 2min 3min 4min 5min

0.5～1.0min 1～3min 5～10min 20～30min 30min以上

0.5～1.0min 1～3min 5～10min 20～30min 30min以上

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

18～20min 15～17min 11～13min 5～10min 2～4min