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锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。

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在其第二和第一基极之间加正向电压Ubb在其发射极与第一基极之间加正向电压 Uc当Ue≥Up即峰点电压

负阻特性导通截止状态饱和状态放大状态

二极管导通时的正向压降硅管为0.6-0.8V锗管为

0.2—0.5V 0.1—0.3V 0.2—0.4V 0.2—0.3V

不论放大电路的形式如何双极型晶体管的偏移对基极来说总是发射极加正向电压而集电极加反向电压

硅二极管导通时的正向管压降约锗二极管导通时的管压降约0.3V

锗二极管的正向压降比硅管大锗管反向漏电流比硅管大

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降一般小功率硅管的管压降可为V

0.6 0.7 0.8 1.0

用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降硅管的正向压降一般为0.2—0.4V锗管正向压降一般

NPN型晶体管处于放大工作状态时总是

发射极加正向电压，集电结加反向电压发射极加反向电压，集电结加正向电压发射极加正向电压，集电结加正向电压发射极加反向电压，集电结加反向电压

半导体三极管起放大作用时必须

发射极与集电极都加正向电压；发射极与集电极都加反向电压；发射极加正向电压，集电极加反向电压；发射极加反向电压，集电极加正向电压；

某晶体三极管的管压降UCE保持不变基极电流Ib＝30微安Ic＝1.2毫安则发射极电流IE＝

1.23Ma 1.5mAm 1.17mA 1.203mA

硅二极管的正向压降是

0.7V 0.2V 1V

PNP管大多为锗管其发射结的正向压降一般为V

0.2～0.3 0.4 0.6～0.7 0.5

当三极管集电极与发射极之间的电压Uce为一定值时基极与发射极间的电压Ube与基极电流Ib之间的关系

输入特性输出特性放大特性机械特性

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取锗管一般为

电路如图所示DD均为硅管正向压降0．7VD为锗管正向压降0．3VU=6V如果二极管的反向电流为V则流

0，2mA 2mA，0 2mA，2mA 0，0

硅三极管的基极与发射极之间正向压降約为锗管的正向压降約为

0.2－0.3V 0.5－0.8V 1－1.5V

NPN三极管放大导通必须满足这样的条件即

发射极加正向电压，集电极加反向电压发射极加反向电压，集电极加正向电压基极加反向电压，集电极加正向电压基极加正向电压，集电极加反向电压

NPN型三极管放大导通必须满足的条件:

基极加正向电压, 集电极加反向电压基极加反向电压, 集电极加正向电压发射极加反向电压, 集电极加正向电压发射极加正向电压, 集电极加反向电压

三极管的好坏可以通过用万用表测量的正向反向电阻来判别

集电极发射极基极

电路如图所示D1D2均为硅管正向压降0．7VD为锗管正向压降0．3VU=6V如果二极管的反向电流为V

2mA，2mA 0，2mA 2mA，0 0，0

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