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对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。

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在晶体二极管的反截止区反向电流随反向电压的增大而迅速增大

MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容

从半导体加工技术方面看微机上一般多采用

MOS晶体管 DOS晶体管 POS晶体管

对于功率晶体管的基极驱动电路驱动电流的后沿应是一个较大的负电流以利于功率晶体管的

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晶体管的固有特性，又扩大了容量晶体管的固有特性，又增大了开关频率晶体管的特性，又扩大了容量晶体管的特性，又增大了开关频率

单结晶体管触发电路要产生振荡单结晶体管必须工作在

截止区负阻区饱和区负阻区或饱和区

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电流放大倍数漏电流饱和压降输入电阻

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温度升高时晶体管的反向饱和电流将

增大减少不变不能确定

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放大区饱和区截止区放大或饱和区

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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术一次掺杂成功

为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分不考虑沟道调制效应

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