当前位置: X题卡 > 所有题目 > 题目详情

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

查看本题答案

你可能感兴趣的试题

兴奋性突触后电位和局部电位  抑制性突触后电位和局部电位  兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位  兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位  兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位  
是"全或无"式的  有总和现象  幅度较兴奋性突触后电位大  是突触后膜对Cl的通透性减少的结果  是突触后膜对Cl的通透性增加的结果  
突触前膜均去极化  突触后膜均去极化  突触前膜释放的递质性质一样  突触后膜对离子通透性一样  产生的突触后电位的最终效应一样  
突触前膜均去极化  突触后膜均去极化  突触前膜释放的递质性质一样  突触后膜对离子通透性一样  产生的突触后电位的最终效应一样  
突触后膜去极化  都可向远端传导  都与突触后膜对 Na+通透性增加有关  出现“全或无”式电位变化  递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果  
兴奋性突触后电位和局部电位  抑制性突触后电位和局部电位  兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位  兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位  兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位  

热门试题

更多