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短周期元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大,W的最高正价和最低负价的代数和为0;X的一种核素在考古时常用来鉴定此文物的年代,Y的常见氢化物和最高价氧化物的水化物能反应生成一种离子化合物,工业上.采用...

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X.单质可以通过铝热法获得   Y.的氧化物是良好的半导体材料   Z.的氢化物比W.的氢化物更稳定   X.的最高价氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键  
原子半径:X>Y>Z   W与X.形成的化合物与水反应时,水作氧化剂   X的简单离子与Z.的简单离子具有相同的电子层结构   X.、Y.、Z.的最高价氧化物对应的水化物两两之间均能发生反应  
M.的氢化物的水溶液能与W.的钠盐溶液,反应得到W.的氢化物,说明非金属性M.>W.   X.和Y.形成的原子个数比为1:1的分子中极性键和非极性键之比为2:1   Z.元素在自然界中存在游离态   原子半径的大小顺序:r(W.)>r(Z.)>r(Y.)  
简单气态氢化物的还原性:X>Z   离子半径:Z>Y>X>W   最高价氧化物对应的水化物酸性:Z>X>Y   W.、X.、Z.三种元素组成的化合物可能既含离子键又含共价键  
X、Y间可形成离子化合物   单质熔点:Y>W>X   最高价氧化物对应水化物的酸性:Z>W   Y、W形成的单核离子均能破坏水的电离平衡  
原子半径大小顺序:r(W)>r(Z)>r(Y)>r(X)   沸点:XW22W   最高价氧化物对应的水化物的酸性:X>Z   简单氢化物的热稳定性:Z>W  
X.单质可以通过铝热法获得   Y.的氧化物是良好的半导体材料   Z.的氢化物比W.的氢化物更稳定   X.的氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键  
X.单质可以通过铝热法获得   Y.的氧化物是良好的半导体材料   Z.的氢化物比W.的氢化物更稳定   X.的最高价氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键  
简单气态氢化物的还原性:X>Z    离子半径:Z>Y>X>W    最高价氧化物对应的水化物酸性:Z>X>Y   W.、X.、Z.三种元素组成的化合物可能既含离子键又含共价键  
X单质不可以与CO2反应   Y的氧化物是良好的半导体材料   Z的氢化物比W.的氢化物更稳定   X的最高价氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键  
X单质可以通过铝热法获得   Y的氧化物是良好的半导体材料   Z的氢化物比W.的氢化物更稳定   X的最高价氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键  
X.单质可以通过铝热法获得   X.的氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键   Y.的氧化物是良好的半导体材料   Z.的氢化物比W的氢化物更稳定  
原子半径:Z>W>R    对应的氢化物的热稳定性:R>W   W.与X.、W.与Z.形成的化学键类型完全相同   Y.的最高价氧化物对应的水化物是弱酸  
氢化物稳定性:Z>W  最高价含氧酸酸性:W>Z  离子半径:Y>X  单质还原性:Y>X  
W.的原子序数可能是Y.的原子序数的2倍
    
Z.元素的原子半径可能比Y.元素的小   W.的气态氢化物的稳定性一定比Y.的强
   
若Z.的最高正价为+m, 则X.的最高正价也一定为+m   
原子半径:X 最高价氧化物对应水化物的酸性:W>R    简单气态氢化物的热稳定性:Y>W   Y.在周期表中的位置为第二周期ⅥA.族  
单质的化学活泼性:W<X<Y<Z  原子最外层电子数:W<X<Y<Z  单质的氧化能力:W<X<Y<Z  元素的最高化合价:W<X<Y<Z  
原子半径:Z 最简单氢化物的稳定性:X X与Y形成的化合物中,阴阳离子个数比为1:2    Z的低价氧化物与X的氢化物反应,一定生成弱酸  
Y.的单质可能为原子晶体  X.和W.可组成离子化合物  Z.和W.的单质发生化学反应可生成两种共价化合物  Z.和W.的最高价氧化物对应水化物都是强酸  
)X.单质可以通过铝热法获得 (  )Y.的氧化物是良好的半导体材料 (  )Z.的氢化物比W.的氢化物更稳定 (  )X.的最高价氧化物和Z.的最高价氧化物化合的产物中有共价键和离子键  

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