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简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.

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悬浮区熔的优点不包括

不需要坩埚避免了容器污染更易获得高纯度硅成本低

铁和碳的合金通常叫碳素钢钢中除铁碳外主要含有

硅、锰、硫、磷硅、硼、硫、鳞硅、锰、硫、氮硅、锰、硫、硒

下面几种方法中不属于硅材料的提纯方法是

改良西门子法硅烷法悬浮区熔法流化床法

可以大大提高锻模寿命的渗硼工艺是

电解熔盐法气体渗硼法熔盐法固体渗硼法

下面哪种不是单晶硅的制备方法

硅带法区熔法直拉单晶法磁拉法

半导体硅常用的施主杂质是

锡硫硼磷

铸造技术为何能提高多晶硅纯度制备铸造多晶硅的工艺流程描述直培法工艺影响直培法制备柱形多晶硅的因素

铸造多晶硅中的氧主要来源不包括

头尾料和锅底料中含有的氧晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧石墨加热器与坩埚反应引入的氧外界空气的进入

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者

二氧化硅氮化硅多晶硅硅化金属单晶硅多晶硅铝铜铝硅

简述单晶硅电池片与多晶硅电池片的生产流程

钠硼硅与钠钙硅系统的不混溶区各有什么特点

目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法改良西门子法和两种方法

在制作多晶硅太阳能电池时将作为原料的高纯硅不提纯成单晶而是将其熔化后浇铸成正方形的硅锭

工业中单晶硅的制备方法主要有和区熔法FZ法

简述单晶硅与多晶硅的材料对比

下列关于多晶硅抑制产能过剩和重复建设的政策导向的说法正确的有

严格控制在能源短缺,电价较高的地区新建多晶硅项目严格限制多晶硅生产企业与下游太阳能电池生产企业加强联合与合作，延伸产业链新建多晶硅项目规模必须大于3000t/a 太阳能级多晶硅还原尾气中四氯化硅,氯化氢,氢气回收利用率不低于98.5%,99%,99% 引导,支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营

下列材料属于N型半导体是

硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）硅中掺有元素杂质硼、铝（Al）砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

物质材料中属于晶体材料的有

硅硼锗磷

悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时采用快速区熔法的工艺时第一次区熔时第一区熔区停留挥发时间左右

3ｍｉｎ 5ｍｉｎ 7ｍｉｎ 10ｍｉｎ

半导体硅常用的受主杂质是

锡硫硼磷

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