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位错增殖
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材料科学基础《材料科学基础》真题及答案
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对于刃型位错线其柏氏矢量______于位错线其滑移运动方向______于柏氏矢量.其攀移运动方向__
不能发生攀移运动的位错是______
肖克利不全位错
弗兰克不全位错
刃型全位错
具有偶监督作用d0=4的循环码的最佳纠错检错能力是
纠正2位错
纠正1位错,同时检2位错
纠正1位错,同时检3位错
检3位错
能进行交滑移的位错必然是______
刃型位错
螺型位错
混合位错
位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移其中
螺位错只作滑移,刃位错既可滑移又可攀移
刃位错只作滑移,螺位错只作攀移
螺位错只作攀移,刃位错既可滑移又可滑移
螺位错只作滑移,刃位错只作攀移
画出应力下螺型位错通过双交滑移形成弗兰克-里德位错源的过程并画出通过弗兰克-里德位错源使位错增殖的过
若将一位错线的正向定义为原来的反向此位错的伯氏矢量是否改变位错的类型性质是否变化一个位错环上各点位错
试描述位错增殖的双交滑移机制如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm而位错的伯氏矢量为0.2n
螺位错线与柏氏矢量的位置关系是______刃位错线与柏氏矢量的位置关系是______位错线与柏氏矢量
有关增殖体的说法下列哪项是错的
又叫扁桃体或腺样体
位于鼻咽顶部与后壁交界处
增殖体肥大影响呼吸和吸力
增殖体上方是咽隐窝
增殖体肥大常见儿童时期
柏氏矢量与刃型位错及螺型位错的位错线间存在什么位向关系请分析图所示位错圆环各部分位错的类型
位错的类型分为螺型位错和位错
铜单晶中相互缠结的三维位错网络结点间平均距离为D①计算位错增殖所需的应力τ②如果此应力决定了材料的
能进行攀移的位错可能是______
弗兰克位错
肖克利位错
螺型全位错
刃位错的柏氏矢量和位错线螺位错的柏氏矢量和位错线
有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D它们的长度x相等且具有相同的b而b的大小和方向相同图3-21
能进行滑移的位错为______
肖克利不全位错
弗兰克不全位错
面角位错
根据位错运动和晶体滑移的相互关系分析纯螺型位错和纯刃型位错的柏氏矢量与位错线方向位错线运动方向晶体滑
在位错发生滑移时请分析刃位错螺位错和混合位错的位错线l与柏氏矢量b外加切应力τ与柏氏矢量b外加切应力
画图并叙述形变过程中位错增殖的机制
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位错的具有重要的性质下列说法不正确的是
简述材料强化的主要途径和原理
不属于面缺陷
氯化钠具有面心立方结构其晶胞分子数是
通常情况下当氧化物在杂质浓度较低时其在高温条件下引起的扩散主要是
硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度数量受因素的影响
CsCl单位晶胞中的分子数为1Cs+填充在Cl-所构成的空隙中
硅酸盐晶体的分类原则是
固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变但点阵畸变性能变化固溶体有有限和无限之分其中
为什么细金化能提高材料的强度和断裂韧性
影响晶体生长形态的外因
由结晶化学观点知具有的氧化物容易形成玻璃
实际晶体强度远远低于理论强度的原因是由于实际晶体中存在大量的
密堆积结构的致密度为
按照晶体结构缺陷形成的原因可将晶体结构缺陷的类型分为
位错的是指在热缺陷的作用下位错在垂直滑移方向的运动结果导致空位或间隙原子的增值或减少
固溶体的不平衡凝固可能造成
扩散相与扩散介质性质差异越大
属于线缺陷
当温度不变时熔体组成的O/Si比高低聚物粘度
若某一体系进行二级相变则在相变温度下二相的
二级相变是指在相变时两相化学势相等其一阶偏微熵也相等而二阶偏微熵不等因此二级相变
萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积F+填充了
对于形成杂质缺陷而言高价正离子占据低价正离子位置时该位置带有正电荷为了保持电中性会产生
在相同条件下非均匀成核与均匀成核比较非均匀成核
间隙式固溶体亦称填隙式固溶体其溶质原子位于点阵的间隙中讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑
极化会对晶体结构产生显著影响可使键性由过渡最终使晶体结构类型发生变化
热缺陷亦称为本征缺陷是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点原子或离子当离子晶体生成肖特基缺陷Schottkydefect时
对于放热的相变过程要使相变过程能自发进行则必须
根据鲍林Pauling规则离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时一价阴离子的配位数为
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