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PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
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电子技术《电子电路》真题及答案
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PN结在正偏时内电场与外电场方向相反其电阻
相对较小
相对较大
很小
很大
晶体二极管正偏导通时外电场
与PN结内电场方向相反,扩散运动加强
与PN结内电场方向相同,漂移运动加强
与PN结内电场方向相同,扩散运动减弱
与PN结内电场方向相反,漂移运动减弱
晶体三极管放大时它的两个PN结的工作状态为
均处于正向偏置
均处于反向偏置
发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置
发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置
关于半导体二极管说法正确的是
加正向电压时外电场与势垒电场方向一致
加正向电压时外电场与势垒电场方向一致
加反向电压时耗尽层变薄
加反向电压时耗尽层变厚
PN结反向偏置时外电场的方向与内电场的方向相同有利于少子的漂移运动而不利于多子的这种情况下的电流称为
下列说法中正确的是
右手定则是判定直导体作切割磁力线运动时所产生的感生电流方向。
PN 结正向导通时, 其内外电场方向一致。
无论在任何情况下, 三极管都具有电流放大功能。
二极管只要工作在反向击穿区, 一定会被击穿。
下列说法中正确的是
右手定则是判定直导体做切割磁力线运动时所产生的感生电流方向。
PN 结正向导通时, 其内外电场方向一致。
无论在任何情况下, 三极管都具有电流放大功能。
二极管只要工作在反向击穿区, 一定会被击穿。
PN结正向导通时其内外电场方向一致
由于PN结内存在着内电场因此在PN结两边就有电位差下列说法正确的是
在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4V
硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2V
电位降落的方向和内电场方向相反
硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
PN结内电场方向为P→N
PN结正向偏置时处于状态呈低电阻正向电流大
PN结正向偏置时其内外电场方向一致
PN结具有单向导电性即当电源正极接负极接时称为给PN结 加正向电压或正向偏置
P 区
N 区
门极
控制极
三极管工作在饱和区时两个PN结的偏置是加正向电压加正向电压
电偶极子模型是指电量为q相距为l的一对正负点电荷组成的电结构O是中点电偶极子的方向为从负电荷指向正电
PN结在反偏时内电场与外电场方向相同其电阻
相对较小
相对较大
很小
很大
加在PN结两端的正向电压必须内电场电压才能使PN结导通
大于
等于
小于等于
小于
PN结外加反向电压时外力日电场的方向与自建电场的方向一致使空间电荷区势垒加高
变窄
变宽
变小
不变
pn结正向导通时其内外电场方向一致
在N型材料的PN结光伏效应中光生电动势与内建电场的方向
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