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金属的熔点高于瓷烧结温度是为了

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低于体瓷烧结愠度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
两者相同  前者稍稍高于后者  前者稍稍低于后者  前者明显高于后者  前者明显低于后者  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结温度5℃  低于体瓷烧结温度10℃  高于体瓷烧结温度5℃  高于体瓷烧结温度10℃  以上均不正确  
两者相同  前者低于后者  前者高于后者  前者明显低于后者  前者明显高于后者  
有利于金瓷的化学结合  有利于瓷粉的冷却  防止瓷粉烧结后崩裂  防止金属基底变形  使瓷烧结后产生压应力  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结愠度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结愠度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结愠度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
低于体瓷烧结温度6~8℃  高于体瓷烧结温度10℃  高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间  形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡  防止磨料成分污染金属表面  
两者相同  前者低于后者  前者高于后者  前者明显低于后者  前者明显高于后者  
低于体瓷烧结温度5℃  低于体瓷烧结温度10℃  高于体瓷烧结温度5℃  高于体瓷烧结温度10℃  以上均不正确