你可能感兴趣的试题
低于体瓷烧结愠度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
两者相同 前者稍稍高于后者 前者稍稍低于后者 前者明显高于后者 前者明显低于后者
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结温度5℃ 低于体瓷烧结温度10℃ 高于体瓷烧结温度5℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 以上均不正确
两者相同 前者低于后者 前者高于后者 前者明显低于后者 前者明显高于后者
有利于金瓷的化学结合 有利于瓷粉的冷却 防止瓷粉烧结后崩裂 防止金属基底变形 使瓷烧结后产生压应力
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结愠度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结愠度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结愠度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
低于体瓷烧结温度6~8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 防止磨料成分污染金属表面
两者相同 前者低于后者 前者高于后者 前者明显低于后者 前者明显高于后者
低于体瓷烧结温度5℃ 低于体瓷烧结温度10℃ 高于体瓷烧结温度5℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 以上均不正确