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兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的

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兴奋性突触后电位和局部电位  抑制性突触后电位和局部电位  兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位  兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位  兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位  
是"全或无"式的  有总和现象  幅度较兴奋性突触后电位大  是突触后膜对Cl的通透性减少的结果  是突触后膜对Cl的通透性增加的结果  
突触前膜均去极化  突触后膜均去极化  突触前膜释放的递质性质一样  突触后膜对离子通透性一样  产生的突触后电位的最终效应一样  
需由中间神经元介导  突触前末梢递质释放增多  突触后膜K⁺通透性降低  突触后膜Na⁺通透性增加  突触后膜神经元受刺激而兴奋  
突触前膜均去极化  突触后膜均去极化  突触前膜释放的递质性质一样  突触后膜对离子通透性  
突触前膜均去极化  突触后膜均去极化  突触前膜释放的递质性质一样  突触后膜对离子通透性一样  
兴奋性突触后电位和局部电位  抑制性突触后电位和局部电位  兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位  兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位  兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位  
突触前膜均去极化  突触后膜均去极化  突触前膜释放的递质性质一样  突触后膜对离子通透性一样  

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