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肖特基(Schottky)缺陷

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肖特基Schottky型空位表示形成______的无序分布缺陷

等量的阳离子和阴离子空位双空位等量的间隙阳离子和间隙阴离子

在离子晶体中如在局部区域形成Schottky缺陷则这个区域中阳离子空位的浓度与______相等

阴离子空位浓度间隙阴离子浓度间隙阳离子浓度

肖特基Schttky缺陷

肖特基缺陷

肖特基效应

什么是欧姆接触和肖特基接触

在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子这样的缺陷称为______

肖特基缺陷(Schottky defect) 弗仑克尔缺陷(Frenkel defect) 间隙缺陷(interstitial defect)

在MgO晶体中肖特基缺陷的生成能为9.612×10-19J如果在MgO晶体中含有百万分之一的Al2O

74系列TTL数字逻辑电路系国际上通用的标准电路其中74F××表示为集成电路

标准肖特基低功耗肖特基高速

MgO的密度为3.58g/cm3其晶格常数为0.42nm试求每个MgO单位晶胞内所含的肖特基缺陷数

下面关于Schottky和Frenkel缺陷的表述中错误的为______

Schottky缺陷同时包含空位和间隙原子 Frenkel缺陷的形成能通常较Schottky缺陷大同温度下，通常Schottky缺陷的浓度大于Frenkel缺陷

写出下列缺陷反应式1NaCl形成肖特基缺陷2AgI形成弗仑克尔缺陷Ag+进入间隙3TiO2掺入到Nb

点缺陷与材料的电学性质光学性质材料的高温动力学过程等有关以下点缺陷中属于本征缺陷的是

弗仑克尔缺陷肖特基缺陷杂质缺陷 A+B

74系列TTL数字逻辑电路系国际上通用的标准电路其中74LS××表示为集成电路

标准肖特基低功耗肖特基高速

由肖特基缺陷引起的扩散为

本征扩散非本征扩散正扩散负扩散

以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管SBD简称为肖特基二极管

在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子这样的缺陷称为

肖特基缺陷弗仑克尔缺陷线缺陷

a在MgO晶体中肖特基缺陷的生成能为6ev计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度b如果MgO晶体中含

弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷

属于晶体缺陷中面缺陷的是

位错层错肖特基缺陷螺旋位错

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