下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）

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是局部除极化电位具有“全或无”性质是局部超极化电位由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致

是局部去极化电位具有“全或无”性质是局部超极化电位由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致

持续时间长突触前膜去极化潜伏期较长通过轴突-轴突突触结构的活动来实现轴突末梢释放抑制性递质

突触前轴突末梢超极化突触后膜对Ca2+ 通透性增大突触后膜出现超极化突触后膜去极化由突触前膜递质释放量减少所致

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触前膜释放抑制性递质潜伏期较短

突触前膜是轴突末端突触小体的膜突触后膜是与突触前膜相对应的胞体膜或树突膜突触小泡移动到突触前膜的过程中需要消耗能量同一个神经元的轴突末端既能释放兴奋性递质，也能释放抑制性递质

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触后膜去极化没有神经递质参与

突触前膜去极化持续时间长潜伏期较长通过轴突-轴突突触结构的活动来实现轴突末梢释放抑制性递质

突触前膜超极化 Ca2+ 经突触前膜进入突触小体突触前膜释放抑制性递质突触后膜对 Cl-通透性增强 Cl- 内流产生IPSP

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触前膜释放抑制性递质

可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种是由突触前末梢释放抑制性递质引起的突触后膜产生IPSP 突触后膜产生EPSP 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

突触前末梢去极化 Ca2+进入突触前膜内突触囊泡释放抑制性递质突触后膜对Cl- 的通透性增高突触后膜膜电位增大，使突触后神经元发放冲动

是局部去极化电位具有“全或无”性质是局部超极化电位由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致(21/2006)

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触潜伏期短，持续时间短可调节控制感觉信息的传入活动

一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制突触后膜产生超极化变化突触后膜产生部分去极化变化可分为回返性抑制和传入性抑制两种是由突触前末梢释放抑制性递质引起的