目前使用的（）可多次写入的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。

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可以访问I/O端口和存储单元只能访问I/O端口既不能访问存储单元又不能访问I/O端口只能访问存储单元

内存储器由许多存储单元组成访问存储器中的信息不需要存储单元的地址存储器的存储单元都有自己的单元地址度量存储器容量的基本单位为字节

ROM PROM RAM EPROM

实参和形参各占独立的存储单元实参和形参共用存储单元由系统自动确定实参和形参是否共用存储单元由用户指定实参和形参是否共用存储单元

半导体存储器的基本结构都是由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三大部分构成的 ROM的主要特点是在工作电源下可以随机地写入或读出数据静态RAM存储单元的主体是由一对具有互为反馈的倒相器组成的双稳态电路动态RAM存储单元的结构比静态RAM存储单元的结构简单

程序局部性空间局部性时间局部性数据局部性

从RAM读出数据后,原有存储单元内容不变将数据写入RAM后,新写入的内容累加至元存储单元中动态随机读写存储器(DRAM)就是常说的内存目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路

程序局部性空间局部性时间局部性数据局部性

光盘只能读不能写有的光盘用户可以写入，但只能写入一次。一旦写入，可多次读取有的光盘可以多次对其进行读/写 DVD光盘与CD光盘大小相同，但它存储密度高，存储容量极大

①，② ①，②，③ ②，③ ①，③

光盘只能读不能写有的光盘，用户可以写入，但只能写入一次。一旦写入，可多次读取有的光盘，可以多次对其进行读/写 DVD光盘与CD光盘大小相同，但它存储密度高，存储容量极大